非公開
業務内容
エピタキシャル成長製造装置開発の成膜のプロセス開発を行っていただきます。
・シリコン、GaN、SiC膜の成膜方法（レシピ）の開発と測定機による評価
・装置の開発、客先でのデモンストレーション、メンテナンス、トラブル対応
・プロセスに関する客先でのプロセス仕様打合せ、装置立上、客先でのプロセス支援
※海外顧客の場合海外出張いただき、顧客先でレシピの調整を行います
〇エピタキシャル成長製造装置の特徴
①ウェーハの高速回転による高速かつ均一性の高い成膜
②緻密に設計された垂直方向のガスフローによる均一なガス濃度分布
③高精度な面状ヒーターに非接触で配置することで高い温度均一性と高速昇降温特性
上記コア技術が実現することで高品質エピタキシャル成長層の形成を可能としております。
プロセス担当はこれらコア技術が顧客要望通り実現しているかを測定器などを使用して検証し、
エラーの原因はレシピなのかハードなどかを突き詰め改善を行っていきます。
【業務で使用するツール】
・プロセス
測定機操作 (SEM、欠陥検査、膜厚、XRD等）
【入社後お任せしたい業務】
・プロセス
上記業務内容を先輩社員がOJTでついて教育を行いながら、
デモ機をもとに装置の扱い方やレシピの開発・調整方法をキャッチアップいただきます。
【配属組織について】
・組織構成：約30名
メンバーの半数以上がキャリア入社、20代・30代が6割を占めている組織となります
・組織のミッション
エピタキシャル半導体製造装置は現在国内外の顧客より多くの注文をいただいておりますが
この販売台数を最大化することがミッションとなっております。
拡大のためには、顧客先ごとで成膜で使用するガスの種類が異なっているため
がプロセスが異なるため、顧客ごとにニーズを満たすレシピの作成・
プロセスを立ち上げることが重要となっております。
さらに今後はウェハーのサイズが大きくなることから、自動搬送のニーズが高まり、
自動搬送の機械設計・ソフトウェア設計が求められております。
【働き方】
・部署の平均残業時間：約20時間／月
・リモートワーク：有 （週に約1日在宅勤務）
・海外出張：有 年に2～3回、出張期間は1か月～3か月
【製品・当社の強み】
・電気自動車で使用される充電器や、通信技術の5G、6Gなどの基地局は
エピタキシャル装置で製造されるパワー半導体がなければ急速充電あるいは高速通信が
できないため注目されております。
・またパワー半導体は省エネの部分においても、脱炭素推進が可能なものとして
注目をされております。
・また非常に入手困難な8インチSiCを製造しているメーカーに対して、
弊社装置を納入できているため、最先端かつ技術の高さで競合他社と差別化ができております。
＜従事すべき業務の変更の範囲＞
（変更の範囲）会社の定める業務
・他社の追随を許さない高い技術力、特許数の多さ（研究開発費率21.7%／2019年３月期）
・社員一人当たりの高い経常利益（2,340万円／過去平均5年）
・海外売上比率80%以上
・3年後離職率2.5%（新卒入社者、過去5年平均）
・圧倒的市場シェア