非公開
・MBE 装置によるデータ通信やLiDAR 用1.3μm 帯量子ドットおよび加工・バイオメデ
ィカル用1μm 帯量子井戸のエピ技術開発(具体的な業務は以下)。
[1] 1.3μm 帯量子ドット:InAs 量子ドットの更なる特性改善のため高利得化や長波長化。
成長条件・成長方法の提案、エピ実施および特性確認による高性能量子ドットの開発
[2] 1μm 帯量子井戸:1020-1180nm InGaAs 量子井戸を用いた半導体レーザの更なる高出力化・高信頼性のための高歪系のエピ開発
・ウェハ積層構造設計、評価、解析業務
・MBE 装置の維持・管理 ・顧客からの問合せに対する技術対応