ジョブNo.730194 デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア  メモリデバイス(SARM,eFuse)(国内勤務)担当

  • 正社員
  • グローバル企業
  • ベンチャー企業
  • 年間休日120日以上
  • 女性が活躍
  • フレックスタイム
  • 語学が生かせる
  • 一部在宅勤務

Rapidus株式会社

同社はIBM社と連携し、2nmプロセス半導体の技術開発を推進しており、2025年から段階的に国内工場立ち上げ、試作、量産を行っていきます。
2nmプロセスにおける、メモリー素子(SRAM, eFuse)の開発
デバイス開発を、ロジックトランジスタのベースプロセスの中で、プロセス整合させて、メモリーデバイスの開発を行う(SRAM, eFuse)。

*1-2年米国勤務、のち国内拠点勤務 *担当業務ならびにご希望に応じて決定
■働き方について
工場建設中のため、当面は在宅+ニューヨーク(IBM)+東京本社への出張(商談時など)となります。
※本社・ニューヨークへの出張は職種やポジション、役割により個別にご相談となります。
工場内に立ち入れるようになってから、徐々に千歳(北海道)への出張が増え、いずれ現地に常駐いただく事となります。
北海道勤務になる場合や出張等は、住居等のサポートがあります。

複数社から出資を受け、IBMと連携した世界初の製品開発・製造を行う事業体です。若手育成、日本の半導体事業の再起、クリエイティブなものづくりを手掛けるメーカーに寄り添った開発を目指していくため、文字通りの豊かな生活・社会に実質的に貢献することを意識しながら、帰属意識を持ち、社員同士のチームワークで一丸となって立ち上げに参画できます。

コンサルタント 山田 典之

募集要項

職種 エンジニア(電気・電子・機械)系/半導体設計(IC・LSI・メモリ)(電気・電子・機械)、エンジニア(電気・電子・機械)系/回路設計(電気・電子・機械)、IT系/PM/PL(組込・制御系・IoT関連)
年収 500万円~1400万円
勤務地 北海道、海外、東京都
応募資格 必須スキル・経験
専門性:メモリーデバイス開発及びTEG測定評価
経験:
メモリデバイス(SRAM, eFuse)のデバイス開発の経験者
・プロセス開発の経験
・TEG測定評価とその解析の経験
・TEG作成経験
・プロセス側、設計環境側と連携して業務を行った経験
歓迎スキル・経験
求める人物像
・大卒以上の実務・研究等の経験者(3年以上)または大学院(博士課程)修了以上 ※修了見込含む
・人とのコミュニケーションを苦手としない人 
・個の活躍に加えてチームプレイもできる人
必要資格・ライセンス
必要言語・レベル
TOEIC 600 以上、もしくは同等程度。(現在の実力より、積極的に英語交流する意識の有無確認)
学歴 不問
雇用形態 正社員(期間の定めなし)
勤務時間 9:00~17:30 フルフレックス
実働7.5時間
休日・休暇土、日、祝日
年間休日 125日
夏季休暇、年末年始休暇、育児休暇、介護休暇、GW休暇、慶弔休暇、その他休暇
⼟⽇、祝⽇、完全週休⼆⽇制、年末年始、創立記念日(8月10日)
待遇・福利厚生その他待遇・福利厚生
屋内原則禁煙(喫煙施設有)
健康保険、厚生年金、労災、雇用保険
通勤交通費(全額)、その他手当

企業情報

企業名Rapidus株式会社
業種・資本 メーカー系(電気・電子・半導体(メーカー))
ヘッドオフィス:国内
事業内容半導体素子、集積回路等の電子部品の研究、開発、設計、製造及び販売 環境に配慮した省エネルギーの半導体及び半導体製造技術の研究、開発 半導体産業を担う人材の育成・開発

デバイス技術部CMOSデバイスエンジニア  メモリデバイス(SARM,eFuse)(国内勤務)担当

  • エンジニア(電気・電子・機械)系/半導体設計(IC・LSI・メモリ)(電気・電子・機械)、エンジニア(電気・電子・機械)系/回路設計(電気・電子・機械)、IT系/PM/PL(組込・制御系・IoT関連)
  • 500万円~1400万円
  • 北海道、海外、東京都