サンディスク合同会社
■仕事概要
次世代NANDフラッシュメモリ製品向けの先端CMOS技術開発を推進する意欲的なエンジニアを募集しています。
本ポジションでは、HKMG（High-K Metal Gate）CMOSデバイスおよびプロセスインテグレーション開発をリードし、デバイス性能の向上、信頼性改善、コスト最適化、ならびに将来世代のメモリ技術実現に向けた技術開発を担当していただきます。
■具体的には
・NANDフラッシュメモリ製品向けの先端HKMG CMOS技術の開発
・CMOSデバイスの性能、消費電力、信頼性の最適化推進
・ゲートスタック、ソース/ドレイン、コンタクト、シリサイド形成などのFEOL（Front-End of Line）プロセスモジュールにおけるプロセスインテグレーション戦略の立案および実行
・デバイス、プロセス、評価解析、シミュレーション、製品開発、TEG開発などの関連部門(国内/海外)との連携
・電気特性、物理解析データ、信頼性評価データを解析し、不具合の根本原因を特定するとともに、改善施策を立案・実施
・次世代に向けた技術ベンチマークおよび技術ロードマップ策定の支援
・技術レビューを主導し、知的財産（特許等）の創出に貢献
変更の範囲：会社の定める業務
世界トップクラスのフラッシュメモリ企業です。NANDフラッシュメモリ（半導体）分野においては、日本が重要な役割を担っています。