【山梨県×半導体設計(IC・LSI・メモリ)(電気・電子・機械)×上場企業】転職・求人情報

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ジョブNo.643913

IGBT・パワーMOS(Si,SiC)デバイス開発エンジニア

  • 正社員
  • 上場企業
  • グローバル企業
  • 従業員1000名以上
  • 年間休日120日以上

■募集の背景 当社では、IGBT、SiCやパワーMOSなどのパワーデバイス事業拡大を計画しています。これらの次世代プロセス開発や生産能力増強(大口径化や生産委託)などのプロジェクトを推進するリーダー…

ルネサスエレクトロニクス株式会社

  • 職種 エンジニア(電気・電子・機械)系/半導体設計(IC・LSI・メモリ)(電気・電子・機械)、エンジニア(電気・電子・機械)系/プロセスエンジニア(電気・電子・機械)
  • 年収 500万円~850万円
  • 勤務地 茨城県、愛媛県、群馬県、山梨県
  • 応募資格

    MUST ・半導体デバイス構造設計やプロセス開発経験 3年以上 ・ウェハプロセス開発経験 3年以上…

この求人のポイント

ルネサスは「人々の暮らしを楽(ラク)にする」技術で持続可能な将来を築いていく日本を代表する半導体企業です。自動運転やIoTなど多様な分野において、先進的な製品やソリューションを提供しています。

コンサルタント 山田 典之

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